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歐盟推動太空電子關鍵技術研發，邁向戰略自主與全球競爭力的關鍵之路

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科技產業資訊室(iKnow) - 黃松勳 發表於 2025年3月27日
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圖、歐盟推動太空電子關鍵技術研發，邁向戰略自主與全球競爭力的關鍵之路

近十年來，歐盟持續加大在太空科技的投資力度，力求擺脫對非歐盟關鍵技術的依賴。透過「Horizon Europe」計畫，歐盟不僅強化自主能力，更積極打造完整的太空研發生態系。歐盟執行機構HaDEA負責管理的關鍵太空技術計畫涵蓋從元件開發到在軌驗證的全鏈路，為未來太空任務鋪路。

歐盟的太空發展策略分為三大主軸：開發戰略性電子設備(EEE)，促進在軌驗證技術成熟度，以及整合成果至核心太空任務。此類技術聚焦於商用化導向與任務導入，顯示出歐盟正以務實步驟強化太空產業的戰略韌性。

不同於傳統基礎研究，歐盟採取「需求驅動」模式，針對具體太空任務所需的技術缺口，與產業界協作開發可迅速商品化的技術。自2014年起，已有43%的專案成功轉化為市場就緒產品。

由TELEDYNE E2V領導的INTERSTELLAR計畫成功開發具抗輻射的抗輻射類比數位轉換器(ADC)和數位類比轉換器(DAC)，支援寬頻通訊任務。此技術已應用於歐洲「伽利略第二代衛星」、哥白尼Sentinel-6計畫，甚至拓展至日本JAXA太空任務。

EFESOS與MNEMOSYNE計畫專注於開發以22奈米FD-SOI製程打造的ASIC與非揮發性MRAM記憶體，確保衛星在高輻射環境下仍可穩定啟動及儲存關鍵軟體。這些成果已進入商業化階段，為太空設備安全性帶來革命性提升。

在歐盟、歐洲太空總署(ESA)及法國法國太空總署(CNES)的共同資助下，NanoXplore公司成功開發多款基於65nm與28nm技術的抗輻射FPGA，並已廣泛應用於歐盟衛星任務。未來將透過DUROC與PUMA計畫邁向7奈米FinFET製程，支援歐盟安全衛星通訊系統IRIS2等高階通訊任務，開啟下一代太空電子設計。

寬能隙半導體GaN因高功率密度與抗輻射特性成為太空設備新寵。歐盟長期支持如SGAN-Next與FLEXGAN等計畫，成功研發多頻段的GaN元件與MMIC系統，目前已整合進「伽利略」與「哥白尼」等太空核心任務，技術逐步成熟並導入應用。

除了射頻應用，GaN功率元件亦在EleGaNT、SAGAN和ESGAN等專案中持續擴展應用電壓範圍，涵蓋低電壓（低於100V）、200V和650V等電壓等級，預計在2025年進入產業化階段。

HEARTS專案由CERN與GSI合作推動，打造高能重離子照射設施，用於模擬深太空環境下的電子元件測試。不須拆解元件即可進行高效測試，大幅降低驗證成本，提升歐洲在太空零組件品質保證上的競爭優勢。

歐盟晶片法案與太空研發計畫形成策略互補，推動高階製程研發並擴充區域製造能力。透過技術資金整合，歐盟已成功建立太空EEE的自主供應鏈，減少對外依賴，提升地緣政治風險下的科技韌性。

隨著歐盟持續擴充Horizon Europe計畫，預期於2025年將釋出更多關鍵技術領域的研發標案，涵蓋量子加密、太空監控與先進推進系統等。這將加速形成一個更完整、技術更尖端的太空創新體系。

歐盟對太空技術自主化的深耕，反映出在國際科技競爭愈趨激烈下的長期戰略眼光。從晶片技術到測試設備、從元件製造到系統整合，歐洲已奠定相當厚實的基礎。未來若能持續整合資源與政策導向，勢必將在全球太空產業中扮演更關鍵的角色，並帶動歐洲的經濟成長、科學進步與社會多重效益。(1132字；圖1)


參考資料：
The European Union' s push for next generation space electronics and critical technologies. SpaceNews. 2025/03/24.
About INTERSTELLAR. H2020 Interstallar.
Evaluation of 22 nm Fully-depleted Silicon-on-insulator technology for Space. European Commission.
MNEMOSYNE-Project. EU.
DUROC-H2020. EU.
develoPpement of a rad-hard fpga with Ultra deep subMicron technology for spAce applications. European Commission.
About the Horizon Europe - Space programme. European Commission.
Technological Non-Dependence. European Commission.

 

 
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