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由於NAND型Flash市場需求已經進入消費性電子與手機領域,因此東芝為了強化競爭力,決定加速增產腳步,計劃再度調高2005年度半導體事業資本支出,由原先預估的2,250億日圓,增加為2,890億日圓,投資手筆為歷年之最。
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根據目前公佈的日本廠商2005年度資本支出,由東芝拔得頭籌,其次是以DRAM為主的爾必達。
表一 日本廠商於2005年度(2005/04~2006/03)資本支出情況
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東芝
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2,890億日圓
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富士通
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950億日圓
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爾必達
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1,900億日圓
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松下電器
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800億日圓
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索尼
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1,600億日圓
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瑞薩科技
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800億日圓
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NEC電子
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1,000億日圓
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Source :Digitimes,科技政策研究與資訊中心(STPI)整理,2006年2月
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東芝計畫將生產據點四日廠的第三座廠房增設生產線,此次加碼投資之後,將使四日廠三廠在2006年度下半的月產能,由原預估的4.875萬片推升至7萬片(以12吋晶圓計)。四日廠主要生產1Gb與2Gb NAND型快閃記憶體,目前採用90奈米製程,2006年2月中將導入70奈米製程量產,東芝計劃在2006下半年度朝52奈米製程邁進。
如果回想當初東芝2005年度半導體事業資本支出預估值為1,510億日圓,至2005年10月底增為2,250億日圓,而今又再次上修為2,890億日圓,可見得NAND型快閃記憶體市場熱度。此外,與東芝的合作的新帝(SanDisk)亦決定追加投資四日廠,2006年對該廠的投資額將達500萬美元。
由於MP3數位隨身聽、手機、數位電視等應用產品需求持續成長,根據東芝推估2006年全球NAND型快閃記憶體市場規模將較前1年擴大2至3倍,這大概也是東芝加碼投資的主因。
由於NAND型快閃記憶體銷售情況良好,2005年度東芝半導體事業營收將為1.04兆日圓,比起9,389億日圓,成長率達11%,而營業利益則達到1,300億日圓,比起2004年度的827億,成長率達57%。因此,NAND型快閃記憶體對於東芝的貢獻非常之大。一般相信2006年仍舊維持這樣態勢。(707字)
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