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半導體導電儲能專利訴訟,Grail Semiconductor控告日商瑞薩電子

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科技產業資訊室 (iKnow) - Joy 發表於 2011年8月25日
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2011年8月4日,來自美國加州的半導體製造公司Grail Semiconductor以1項專利侵權為由,控告來自日本的瑞薩電子公司(Renesas),全案將由加州北部聯邦地院負責審理調查。

本次的系爭專利編號為US6,642,552,專利發明人為Donald Stern,Donald Stern同時也是Grail Semiconductor公司創辦人Robert Stern的親戚,專利所有權則歸Grail Semiconductor所有,主要涉及半導體的電容儲存裝置設計。

原告Grail Semiconductor過去主要生產半導體晶片等產品,但近年來已逐漸轉型為專利控股公司,以專利技術授權取代半導體製造業務。去年(2010年)曾有一家以收購成長型中小企業為主的公司Oteegee Innovations,看中Grail Semiconductor所持有的專利數量和智慧財產權而打算收購,不過後來因資金問題而告吹。目前Grail Semiconductor除了本案之外,還得面對7月時來自Mishcon De Reya New York LLP的專利侵權指控。

而被告瑞薩電子則是由3個大股東日本電氣(NEC)、日立(Hitachi)以及三菱電機(Mitsubishi Electric Corporation)所各別持股而成,以製造半導體產品為主要業務,目前是僅次於英特爾(Intel)和三星(Samsung)的世界第三大半導體公司。(396字;表1)

 

表一、專利訴訟案件基本資料:Grail Semiconductor控告瑞薩電子

訴訟名稱 Grail Semiconductor v. Renesas Electronics America, Inc.
提告日期 2011年8月4日
原告 Grail Semiconductor
被告 Renesas Electronics America, Inc.
案號 3:2011cv03847
訴訟法院 THE NORTHERN DISTRICT OF CALIFONIA
系爭專利 U.S. Patent No. US6,642,552
訴狀下載 download.gif

Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2011/08


 
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