半導體結構專利訴訟，美國半導體設備商 3D Semiconductor 指控日本 Rohm 集團

2012 年 4 月 27 日，美國亞歷桑納州的半導體設備商 Third Dimension Semiconductor( 下稱 3D 半導體 ) 於美國加州北區地方法院控告 Rohm Semiconductor USA, LLC 、 Rohm Company, Ltd 與 Rohm USA, Inc ( 下稱 Rohm 集團 ) 侵犯其半導體結構專利。

本案爭議專利有 6 件： US5,216,275 、 US6,635,906 、 US6,936,867 、 US7,271,067 、 US8,071,450 、 US7,439,583 。

US5,216,275 所揭露的半導體裝置包含一第一半導體區域 6 、一第二半導體區域 7 、與一位於該第一半導體區域與該第二半導體區域的介電薄膜層 (thin dielectric layer) 。

US6,635,906 、 US6,936,867 、 US7,271,067 、與 US8,071,450 係屬於同一專利家族。該專利家族所揭露的 VDMOST 半導體，係包含一高度為 W 的電壓維持層 (a voltage sustaining layer)2 與複數個離散區 (discrete regions)1 ，以改變電場分布。且利用該離散區的分佈狀態的改變，可以調整出不同的電場分布狀態。

US7,439,583 所揭露的 MOSFET Cell 包含基板 3 、第一電極 25 、電壓維持層 129 、高摻雜的活動區 (highly doped active zone)13 、源極區 12 、與一位於 JFET 中央的延伸區 335 。

3D 半導體於訴狀指出，由於 Rohm 集團生產或銷售 Rohm 高電壓 MOSFETs (High Voltage metal-oxide-semiconductor field-effect transistors) 產品使用了本爭議專利所保護的半導體結構，因此請求法院判決停止損害並支付賠償。

Third Dimension Semiconductor 半導體公司，成立於 2002 年，總部位於在亞歷桑納州的 Tempe ，主要營業項目是製造半導體設備。執行長為 Samuel Anderson 、財務長為 Matt Dick 。該公司曾於 2008 年對英飛凌半導體 (Infineon Technologies) 發動專利訴訟，但遭法官判決駁回起訴 (Motion to Dismiss) 。

ROHM 集團是日本半導體製造商，總部在京都市左京區，成立於 1958 年。羅姆電子的二極體與晶片在世界上擁有很高的佔有率。董事長為澤村諭， 2011 年營業額約為 41 億美金。 (536 字；表 1)

表一、專利訴訟案件基本資料：
Third Dimension Semiconductor, Inc 指控 Rohm 侵權

訴訟名稱	Third Dimension Semiconductor, Inc v. Alpha and Omega Semiconductor, Inc. et al
提告日期	2012/4/27
原告	Third Dimension Semiconductor
被告	Rohm Semiconductor USA, LLC Rohm Company, Ltd Rohm USA, Inc
案號	5:2012cv02130
訴訟法院	California Northern District Court
系爭專利	US5,216,275 、 US6,635,906 、 US6,936,867 US7,271,067 、 US7,439,583 、 US8,071,450
系爭產品	高電壓 MOSFETs (High Voltage metal-oxide-semiconductor field-effect transistors)
訴狀下載

Source ：科技政策研究與資訊中心 — 科技產業資訊室整理， 2012/05

表二、 Third Dimension Semiconductor 相關訴訟