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三星企圖以NAND Flash取代硬碟在PC的地位

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科技產業資訊室 (iKnow) - Denise 發表於 2005年10月24日
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三星電子於2005年10月19日舉行年度「Flash Day」之中宣布,其正在發展NAND快閃記憶體的SSD(Solid State Disks),並期望能在2008年時,能拿下全球桌上型電腦儲存媒體20%的市場佔有率.簡單來說,其企圖以NAND取代硬碟成為桌上型電腦的儲存媒體.


近年來,由於數位消費性電子產品以及手持式裝置對於NAND型快閃記憶體的需求直線上升,使得三星愈來愈重視NAND型快閃記憶體在未來發展的潛能.在技術的藍圖上,三星認為在未來數年之內的每一年,其能夠透過半導體製程技術不斷精進,將NAND型快閃記憶體的密度提高一倍.

 

表一 NAND型快閃記憶體製程藍圖

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製程

產品

生產方式

2006年

70 nm

8Gbit, 16Gbit

SLC -> MLC

2007年

55 nm

16 Gbit

MLC

Source :三星電子,2005年10月

此外,為促使客戶能夠開始採用NAND型快閃記憶體,不斷降低製造成本將是目標之一,因為唯有透過提高儲存容量以及降低成本,才能開拓更多的市場應用,其中讓客戶願意接受NAND型快閃記憶體來取代硬碟,是目前三星的下一階段目標.

假設2008年全球桌上型電腦的需求量達1.5億台,以硬碟與桌上型電腦出貨量比為1.6計算,到時候全球有2.4億顆硬碟的需求量.如果三星想達到20%的市場佔有率,則可能銷售4千8百萬的NAND型快閃記憶體.

為了要達到這個目標.在儲存密度上勢必是三星的一大挑戰.三星認為其在2008年時能夠一定能夠生產具高容量的NAND型快閃記憶體.因為三星即將開始生產16GB的快閃記憶體,未來數年之內,一定可以達到100GB的目標.

三星也表示於2006年時,其將用70奈米製程技術,針對8Gbit與16Gbit快閃晶片從SLC(Single Level Cell)生產移轉成MLC(Multi Level Cell),並於2007年以55奈米製程技術,以MLC生產16Gbit快閃晶片.

目前三星已推出一款SDD卡,初期將用於筆記型電腦,主要用途在取代過去筆記型電腦採用的硬碟開機市場,希望藉由SDD卡達到快速開機目的。(732字)


 

 


 
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