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英特爾與美光於2009年8月11日宣佈，已經成功開發出高容量的 3-bit-per-cell （3BPC）NAND型快閃記憶體，將採用34奈米製程製造基於3BPC技術的32GB MLC快閃記憶體，以用於USB隨身碟與快閃記憶卡等設備。
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NAND型快閃記憶體從SLC時代，進入MLC時代，也使得快閃記憶體的容量在一定晶片大小下，可獲得更多容量。在SLC的NAND型快閃記憶體的每單位1位元技術，而MLC是每單位2位元，現在英特爾與美光合作將其推展至每單位3位元，可讓相同容量的記憶體晶片獲得更低的成本優勢。
然而這樣的高密度技術也有其缺點。美光認為相較於SLC和MLC技術，3BPC不僅需要較長的讀取與寫入時間，而且可讀寫次數也比較少。簡單來說，在耐久性方面仍有問題，所以初步無法引入固態硬碟（Solid State Drive）的應用，而將在USB隨身碟與快閃記憶卡方面引入。
圖一、英特爾與美光在NAND製程技術的情況
Source : 美光，科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2009年08月
英特爾與美光合資的IM Flash Technologies公司，預計自2009年第四季起開始量產34奈米製程的3BPC的NAND型快閃記憶體。
新帝與東芝於2008年已研發出使用56奈米製程技術量產3BPC MLC NAND快閃記憶體，不過，根據他們表示，由於43奈米製程的2BPC MLC NAND型快閃記憶體的成本低於56奈米製程的3BPC MLC NAND快閃記憶體，所以這兩家公司將重點放在以32奈米製程量產的3BPC或4BPC MLC NAND型快閃記憶體。
一般預估，新帝與東芝將在2010年時開始量產32奈米的3BPC或4BPC MLC NAND型快閃記憶體。所以英特爾與美光已經在研發低於30奈米製程的3BPC MLC NAND型快閃記憶體，並預計能在2010年向市場正式宣佈研發成功的情況。
除了以上兩個陣營在積極研發與量產3BPC MLC NAND型快閃記憶體之外，南韓的海力士與三星，也正在加緊腳步投入3BPC MLC NAND型快閃記憶體生產的行列。
不過，現在觀察的重點並非在於針對USB隨身碟與快閃記憶卡市場推出3BPC MLC NAND型快閃記憶體，而是何時那一家廠商能針對固態硬碟市場堆出解決方案，那就表示3BPC的技術缺點已經有所突破了。
一旦廠商能宣佈針對固態硬碟推出3BPC MLC NAND型快閃記憶體，則內建於筆記型電腦或可攜式行動裝置的固態硬碟成本將可快速下降，未來成長潛能就值得期待。（794字）
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