新聞：（2007年12月17日聯合晚報-全新再取得韓專利）積極跨入高階LED領域的全新光電(2455)今公布繼上月取得美國發明專利後，再取得韓國第68728/2005號「Fabrication Method Of High-Brightness Light Emitting Diode Having Reflective Layer」發明專利。全新表示，此為具有反射層之高亮度發光二極體製造方法，屬LED製造方法上之專利，於產業日益重要的專利布局上，再下一城。
| 表一、全新光電近期媒體報導 |
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日期 |
新聞標題 |
大約內容 |
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2007/12/17 |
全新再取得韓專利 |
取得韓國專利 |
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2007/12/11 |
全新取得高亮度LED專利11月營收9.17億元 |
營收報導 |
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2007/12/02 |
量縮震盪築底台股開高36點 |
股價資訊報導 |
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2007/12/30 |
全新取得美高亮度LED專利 |
取得美國專利 |
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2007/11/29 |
全新光電取得美國高亮度LED發明專利 |
取得美國專利 |
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Source: 科技政策研究與資訊中心, STPI, 2007/12 |
| 表二、全新光電中華民國專利彙整 |
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公告(公開)號 |
公告(公開)日 |
申請日 |
專利名稱 |
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M253058 |
12/11/2004 |
9/5/2003 |
一種可用以調整基射極導通電壓的異質接面雙極電晶體結構 |
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200731564 |
8/16/2007 |
6/26/2006 |
強化側面出光能力的發光二極體 |
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200723567 |
6/16/2007 |
6/26/2006 |
具有反射層的高亮度發光二極體製造方法 |
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200703723 |
1/16/2007 |
5/30/2006 |
具有反射層的高亮度發光二極體結構 |
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449938 |
8/11/2001 |
6/16/2000 |
一種鍍有金屬反射鏡膜基板之發光二極體及其製造方法 |
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387153 |
4/11/2000 |
3/31/1998 |
具有透光基板之發光二極體 |
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383510 |
3/1/2000 |
3/31/1998 |
具有漸變組成之上披覆層的雙異質結構發光二極體及具有漸變組成之頂層的發光二極體 |
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369731 |
9/11/1999 |
5/29/1998 |
以透明玻璃或石英當做永久性基板之發光二極體及其製法 |
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Source: 科技政策研究與資訊中心, STPI, 2007/12 |
| 表三、全新光電美國專利彙整 |
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Publication |
Title |
Pub. Date |
Filed |
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US7224005 |
Heterojunction bipolar transistor structure |
2007-05-29 |
2004-09-03 |
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US6287882 |
Light emitting diode with a metal-coated reflective permanent substrate and the method for manufacturing the same |
2001-09-11 |
1999-10-04 |
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US6258699 |
Light emitting diode with a permanent subtrate of transparent glass or quartz and the method for manufacturing the same |
2001-07-10 |
1999-05-10 |
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US6100544 |
Light-emitting diode having a layer of AlGaInP graded composition |
2000-08-08 |
1998-05-20 |
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US6064076 |
Light-emitting diode having a transparent substrate |
2000-05-16 |
1998-05-20 |
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Source: 科技政策研究與資訊中心, STPI, 2007/12 |
| 表四、全新光電公司介紹 |
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公司中文名稱 |
全新光電科技股份有限公司. |
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公司英文名稱 |
VISUAL PHOTONICS EPITAXY CO., LTD |
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網址 |
http://www.vpec.com.tw |
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公司簡介 |
全新光電成立於1996年11月，是一個專業化合物半導體光電元件磊晶片製造公司，產品主要用於通訊微波半導體、光纖通訊、光儲存用雷射及高亮度LED之產品。國內廠商初期發展化合物半導體，技術多仰賴美、日，較缺利基與自主性，因此全新光電一投入磊晶片市場，便以發展上游磊晶片作為公司定位，與他進行晶片製程與封裝的同質公司進行市場區隔。
全新光電全力投入磊晶市場，目前已完成高亮度LED與通訊用AlGaAs、InGaP HBT磊晶片量產技術，前者可應用於交通號誌燈、汽車尾燈、第三煞車燈、戶外型全彩顯示看板等處；後者則是GSM、CDMA、WCDMA手機所使用高功率電晶體所需的元件，為全新光電主力產品，在通過美、日大廠嚴格認證後，目前已進行量產，全新光電已是全球微波半導體前五大製造廠商。
全新光電為專業磊晶代工廠，堅強的研發團隊，完善的設備及完整的驗證分析能力，可提供高水準之產品，並充分滿足客戶的需求。 |
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主要商品 / 服務項目 |
1. 異質接面雙載子電晶體磊晶片 HBT
2. 雷射二極體磊晶片 Laser Diode Epi-wafer
3. 高速電子移動率電晶體 PHEMT Epi-wafer |
評析：
利用Google News，彙整聯合新聞網（http://www.ude.com）近期對全新光電所進行報導，結果如表一。從表一密集曝光度可以看出，要不是全新光電技術真的很特別，不然就是該公司媒體關係非常好。
調查中華民國專利資料庫，到2007年12月17日止，全新光電共計專利8件，如表二所示，5件核准，3件早期公開。8件專利中，共同專利發明人為林昆泉（每件專利均為發明人）。
全新光電新專利均在美國新申請，再引用國際優先權回台灣申請，如同前文聯發科【聯發科調整專利申請策略後之專利監控模式】所提模式。新聞中所指高亮度LED應指「具有反射層的高亮度發光二極體製造方法」與「具有反射層的高亮度發光二極體結構」。
全新光電美國專利彙整如表三，並未發現新聞中所指「High-Brightness Light Emitting Diode Having Reflective Layer」之專利，需要進一步追蹤USPTO公布狀態。
新光電公司基本介紹如表四。該公司成立於1996年11月，主要產品包括1.異質接面雙載子電晶體磊晶片（HBT）；2.雷射二極體磊晶片（Laser Diode Epi-wafer）；3.高速電子移動率電晶體（PHEMT Epi-wafer）與4.超高亮度發光二極體磊晶片（HB-LED）。該公司已是全球微波半導體前五大製造廠商，主要應用於GSM、CDMA、WCDMA手機；而新開發之HB-LED可應用於交通號誌燈、汽車尾燈、第三煞車燈、戶外型全彩顯示看板等處。(1072字；表4)
參考資料：
- http://udn.com/NEWS/STOCK/STO1/4141856.shtml
- ttp://www.104.com.tw/jobbank/cust_job/introduce.cfm?invoice=97170472000
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