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投資銀行 Barclays Capital 針對 NAND 型快閃記憶體提出了七大趨勢 。主要其認為 NAND 型快閃記憶體無論是從需求或者供給都可以看出， 2011 年 NAND 型快閃記憶體將是表現良好的一年！
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• 2011 年是 NAND 型快閃記憶體年：
2011 年 3x 奈米將是主流製程， 2x 奈米也將開始崛起。 NAND 型快閃記憶體主要是由兩大廠商競爭的局面，其中三星將佔 40% 市場佔有率，而東芝與新帝則囊括 33% 的市場佔有率 。此外， 2011 年 NAND 記憶體的 資本支出金額也將首度超越 DRAM 產業。
• 蘋果效應：
單單是 iPad 對於 NAND 型快閃記憶體的需求，於 2011 年就是 2010 年的兩倍。而以固態硬碟為儲存核心的 Macbook Air 則可能成長三倍以上。如果再加上 iPhone 與 iPod Touch 對於 NAND 型快閃記憶體的需求，可以看出蘋果效應。
• 三星即使領先者也是跟隨者：
三星在產量與利潤上將是 NAND 型快閃記憶體的領先者，而在製程技術上則是跟隨者。 整體來說， NAND 市場的供應商都在轉向 2X 奈米 ；例如三星將往 2 7 奈米前進，美光將往 25 奈米 ，東芝將往 24 奈米 ，海力士將往 26 奈米。
• 謝謝東芝：
由於 2010 年東芝廠的停電問題，使得 NAND 型 快閃記憶體於 2011 年第一季的價格可望上揚，即使上揚幅度不是很大，但卻幫助該市場在 2011 年 1 至 2 月時穩定 價格，以及未來價格穩定。
• 東芝平板？
東芝正積極量產 32/24 奈米 NAND ，甚至也發表自有品牌的平板裝置。東芝從 2010 年 8 月開始量產 24 奈米製程，也於 7 月份開始興建的新晶圓廠 Y5 ，並預計於 2011 春天進入量產，但不支援 EUV 投影設備。
• 海力士將再起：
海力士歷經痛苦階段之後，於近期在 NAND 良率上已經大幅提升。也使得其在 3x 奈米與 2x 奈米領域晉身至領導級廠商。這種逆境中求生的意志與優良的管理讓人驚嘆。不過，未來該公司產能的擴充主要還是要視是否能夠取得更多資金而定。
• 美光將向上：
美光近期公佈 2011 年資本支出金額將達到 24 至 29 億美元之間，其中有三分之二的金額是投資在 IM Flash 新加坡廠的量產上。由於這項投資不含英特爾的投資，所以其 IM Flash 新加坡的公司從原本 50-50 ，演變成美光 71% ，英特爾剩下 29% ；美光計劃在 2011 年底時，將 IM Flash 新加坡的產能再提升六成，達到 10 萬片晶圓的月產能 。（ 807 字）
表一、 2011 年不同廠商於 NAND 型快閃記憶體製程技術
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三星
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東芝
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海力士
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美光
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2x 奈米
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27 奈米
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24 奈米
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26 奈米
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25 奈米
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MLC
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3-bit MLC
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3-bit MLC
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3-bit MLC
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2-bit MLC
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Source : 科技政策研究與資訊中心 — 科技產業資訊室 整理 ， 201 0 年 12 月
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