NeXedge控告Freescale與EverSpin半導體雜散磁場屏蔽專利侵權

一、訴訟案件概述

NeXedge於2011年2月17日向亞利桑那聯邦地方法院遞狀，提起對飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)與EverSpin專利侵權訴訟，如表一；並於訴狀中，指出飛思卡爾以及其衍生(Spin-off)建立之新公司EverSpin所生產之磁性隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)產品侵害NeXedge公司於2007年所核准的專利，此類記憶體不但有高讀寫速度，也具備較佳的耐久及抗輻射性。

二、系爭專利技術應用狀況

本案之系爭專利US 7,205,643於2005年3月申請，並於2007年4月核准，原始專利權人也是獨立發明人屬David Walter Smith，2010年6月移轉給NeXedge公司。該專利技術涉及一種半導體雜散磁場屏蔽(Stray Field Shielding )結構，藉由此方法達到磁場衰減隔離目的，避免其他具有磁性設備造成干擾。

三、公司簡介

(一) 飛思卡爾(Freescale Semiconductor)
總公司位於美國德瓦拉(Delaware)的半導體生產製造商。該公司於2004年從摩托羅拉(Motorola)半導體部門衍生而來。飛思卡爾的主要產品為面向嵌入和通訊市場的晶片，該公司亦是POWER體系晶片的重要供應商以及首先將MRAM成功商業化的廠商。

(二) EverSpin Technologies.
本案另一被告EverSpin Technologies即是由其母公司飛思卡爾半導體與多家創投公司集資成立的新公司，並以磁性隨機存取記憶體(MRAM)為主要產品，其主要領域為提供並擴充現有的獨立MRAM產品線及相關磁性產品。

根據公司相關資料顯示，飛思卡爾表示會把原有MRAM技術與相關專利及產品線轉移給EverSpin Technologies，並於新公司內仍保有一定比例股份。新公司EverSpin Technologies會取得MRAM製造的所有權，並以亞利桑那州的錢德勒(Chandler)為基地，繼續供應產品給飛思卡爾現有的MRAM用戶。另一方面，EverSpin亦會提供MRAM技術給飛思卡爾，以便運用於飛思卡爾的嵌入式(Embedded)相關產品。

NeXedge LLC是家專利授權公司(NPE)，隸屬於Regus Group。Regus Group的創辦人Mark Dixon以食品批發零售業起家，1989年創辦 Regus於比利時布魯塞爾，轉型為資產管理公司。(728字；表1)

表一、專利訴訟案件基本資料彙整

Source: 鄭猷超，科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2011/02。