標準型DRAM、HBM產品發展態勢備受矚目
台經院產經資料庫總監、APIAA院士 劉佩真 發表於 2025年5月13日
圖、標準型DRAM、HBM產品發展態勢備受矚目
全球兩大廠Samsung、SK Hynix等同步經營NAND和DRAM企業，有鑑於應用端的發展能見度，可預見2025年重心持續轉移至HBM，主要是由於生成式AI浪潮帶動AI應用快速發展，AI伺服器與高階GPU需求不斷擴增，因此將帶動新一代的DRAM解決方案，即突破記憶體頻寬與容量瓶頸的HBM產品呈現快速成長，更何況Samsung、Micron亟欲挑戰SK Hynix在HBM龍頭的地位；不過預料短期內SK Hynix在HBM的領導廠商難以撼動，主要係因其除與台積電、Nvidia合作，其HBM生產效率高於競爭對手Samsung和Micron達8.8倍。值得一提的是，有鑑於智慧型手機、PC製造商皆有一定數量的DRAM庫存，加上中國長鑫存儲的記憶體產量增加，故2025年通用DRAM市場能見度有限，而因Samsung通用DRAM佔比相對較高，導致2025年該公司對於通用DRAM的增產幅度較為謹慎。
HBM技術競賽加速，國際各大廠商搶佔AI記憶體市場，此也顯示記憶體產業正在進行轉型，客製化設計成為新戰場
在AI運算需求爆發帶動下，全球記憶體大廠紛紛加速高頻寬記憶體(HBM)技術的開發進程，特別是加速推進第六代HBM，也就是HBM4產品的開發，甚至隨著HBM的改朝換代速度加快，第七代HBM產品HBM4E的開發也出現在廠商的發展計畫藍圖上。以SK Hynix率先宣布開發HBM3e 16hi產品，每顆晶片容量達48GB，預計2025年上半年送樣。與此同時，Micron也透露其HBM4產品預計於2026年量產，更進階的HBM4E則將在2027~2028年問世，顯示HBM技術世代交替速度明顯加快。
事實上，隨著AI應用多元化發展，記憶體產業正朝向更高度客製化的方向轉型。Micron在HBM4E世代率先採用台積電先進邏輯製程，為特定客戶開發客製化基礎晶片，標誌著記憶體業務模式的重大轉變。市場預期這類客製化設計將包含增強暫存、特定應用介面協議、記憶體間傳輸功能、可變介面寬度，以及自定義ECC與安全性演算法等進階功能。
不同於HBM擁有相對較佳的AI應用市場發展潛力，反觀標準型DRAM全年仍需面臨庫存、關稅及產能過剩等多重挑戰
DRAM市場分化加劇，HBM與傳統記憶體價格走勢分歧的態勢日趨顯著，2024年下半年~2025年上半年皆呈現此格局。事實上，2024年第四季DRAM產業進入關鍵轉折點，市場呈現明顯的結構性分化，根據TrendForce集邦諮詢的資料可知，2024年下半年~2025年手計傳統DDR4和LPDDR4X因供需失衡已呈現價格跌勢，而DDR5與LPDDR5X等先進製程產品已面臨下跌壓力；所幸2025年第二季標準型DRAM產品報價已轉為持平，主要係因應國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫存，為確保2025年下半年產線供料穩定，庫存水位較低的OEM於第二季提高對DRAM原廠採購量。但全年來說，TrendForce預估，2025年標準型DRAM產業將面臨供給過剩的風險，預計全球標準型DRAM的位元產出預計年增20%，然而2025年消費型電子產品需求難以期待，特別是美國川普總統的關稅政策恐對於民眾購置消費型電子的意願降低，加上部分產線恐從NAND Flash轉向DRAM生產，皆將為產業帶來更大的供給壓力，若廠商無法有效控制產能，產業庫存去化將較為緩慢，對於價格要明顯反彈的壓力也將隨之增加。
特別值得留意的是中國的長鑫存儲，其在新增合肥廠二期與北京廠二期產能，新產能用於生產DDR4、LPDDR4、LPDDR5等產品，終端產品將以國產智慧型手機、PC與消費性電子等領域為主，總計DRAM總產能已從2022年每月7萬片快速成長至2024年的20萬片，2025年更將持續擴增，也由於長鑫存儲佔全球DRAM版圖的比重正在持續拉升中，因此其產能擴充的動作對於2025年標準型DRAM市場無疑又將帶來負面影響。
相對來說，HBM產品線因有來自於AI應用需求強勁的支撐，使得供應結構呈現持續緊俏的局面，特別是HBM3E預計在2025年成為AI應用主流。然而，由於並非所有供應商都能如期通過Nvidia的認證，部分廠商恐被迫將TSV產能轉回生產傳統型DRAM，將進一步加劇市場供需失衡。
整體而言，DRAM產業結構轉型加速，廠商競爭策略分歧，也代表著DRAM產業結構日趨複雜，除了傳統的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，HBM的崛起為產業帶來新的競爭面向。國際三大原廠包括Samsung、SK Hynix、Micron等的策略也出現分歧，部分廠商積極投入HBM產能建置，但新廠要到2026年才會步入量產，另有廠商因應製程技術與認證等挑戰，恐轉向傳統型DRAM生產。而上述策略分歧的情況亦反映出產業正處於重要的轉型期，廠商必須在HBM與傳統DRAM之間尋找最佳的產能配置平衡。(1613字)
作者資訊：
劉佩真 台經院產經資料庫總監、APIAA院士
參考資料：
需求展望疲弱、庫存和供給上升，預計2025年DRAM價格將下跌。TrendForce集邦諮詢，2024/11/18
半導體行業點評：國產DDR5突破，看好DRAM產業鏈。民生證券，2024/12/23
大摩：ASIC HBM 高速成長 但記憶體市場仍進入谷底。經濟日報，2024/12/23
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