中國記憶體廠商積極佈局HBM，並建立設備生態體系，預計2026年底開始量產

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科技產業資訊室(iKnow) - 友子發表於 2026年1月27日

圖、中國記憶體廠商積極佈局HBM，並建立設備生態體系，預計2026年底開始量產

中國記憶體半導體企業正準備於2026年開始量產高頻寬記憶體（HBM），據稱，它們正在加緊建造HBM製造所需的半導體設備生態體系。由於美國的限制預計將成為中國HBM生產獲得先進半導體設備的最大障礙，這些企業似乎正全力推動設備自行研發化。

中國半導體設備企業由於HBM是透過堆疊多個DRAM晶片製成的，因此需要採用與傳統通用DRAM製造製程不同的先進製程。中國的記憶體半導體產業也正在從以通用DRAM為中心的投資轉向開發HBM專用製程並擴大相關設施。其中，北方華創（NAURA）、中微公司（Maxwell）和華卓精科（U-Precision）都正在加速研發HBM專用設備。

隨著中國大力投資以鞏固其在AI產業的領先地位，HBM對於運行先進的AI半導體晶片至關重要。然而，由於HBM被美國先進半導體產業管制部門列為限制性產品，其供應面臨困難。

不只長鑫存儲，中國最大的NAND快閃記憶體製造商長江存儲（YMTC）也已投身HBM的研發。長鑫存儲計畫2026年量產第四代HBM（HBM3），並被認為具備提供華為等AI半導體企業樣品的技術。據悉，長鑫存儲已開始研發用於HBM的矽穿孔（TSV）技術。

由於美國的限制預計將使HBM量產所需的半導體設備採購變得困難，中國半導體設備產業已開始著手建立自身的生態系統。特別是，中國正專注於半導體製造所需的蝕刻和封裝等製程。蝕刻用於在DRAM晶片之間精確鑽取用於堆疊的整合通道，而基於此的封裝則用於製造單一晶片，這些製程對HBM製程的良率影響最大。

專家表示，除用於繪製超精細電路的極紫外線（EUV）光刻設備外，中國半導體設備企業已基本實現了DRAM製程設備的自主化。然而，要利用通用DRAM製造HBM，蝕刻和封裝等領域仍需技術強化。

為此，像北方華創、中微公司和華卓精科等企業正在陸續推出HBM專用設備。北方華創是中國蝕刻設備市場佔有率超過30%的龍頭企業，該公司表示已建造了一套HBM製造所需的核心製程設備組合，不僅包括蝕刻設備，還包括用於在晶圓表面沉積薄膜的沉積設備和清洗設備。

至於中微公司，其開發了用於捆綁多個DRAM的新一代混合鍵合設備，而華卓精科則表示擁有HBM封裝所需的設備。

從長遠來看，中國本土化生產HBM3可能會重塑GPU供應鏈的部分格局，並為高效能運算和GPU提供另一個先進記憶體來源。這對於全球HBM甚至DRAM記憶體供應將產生重大影響。（988字；圖1）

參考資料：
China races to build HBM gear ecosystem amid US curbs, targets HBM3 ramp. ChosunBiz, 2026/1/20
Chinese semiconductor industry gears up for domestic HBM3 production by the end of 2026 — CXMT to produce chips, while Naura, Maxwell, and U-Preseason design tools for assembly. Tom’s Hardware, 2026/1/21

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