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東京大學突破超高速自旋開關技術,AI晶片運算邁向低功耗新時代

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科技產業資訊室(iKnow) - 黃松勳 發表於 2026年5月21日
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圖、東京大學突破超高速自旋開關技術,AI晶片運算邁向低功耗新時代

隨著生成式AI、高效能運算(HPC)與大型資料中心需求快速攀升,全球半導體產業正面臨效能與能耗之間的雙重壓力。現行CPU與GPU雖持續朝更高運算速度推進,但伴隨而來的高熱量與耗電問題,也逐漸逼近傳統矽基電晶體的物理極限。在此背景下,東京大學與日本理化學研究所(RIKEN)近期發表的新型超高速磁性切換技術,被視為可能改寫下一世代運算架構的重要突破。

研究團隊利用反鐵磁材料Mn3Sn,成功開發出一種非揮發性量子切換元件,可在40皮秒(picosecond)內完成磁態切換,速度約為現今高階AI晶片的千倍。由於皮秒為兆分之一秒,其速度遠高於目前普遍使用的奈秒級切換技術。更重要的是,該技術在高速運作下幾乎不產生額外熱能,顯示未來高效能運算有機會擺脫「效能越高、耗能越大」的困境。

此次研究核心在於自旋電子學(Spintronics)概念。傳統半導體主要利用電子電荷進行資訊處理,但自旋電子學則進一步利用電子的自旋量子特性作為資訊載體。研究人員透過Mn3Sn反鐵磁材料中的自旋軌道力矩(spin-orbit torque)機制,讓電子在極短時間內完成狀態翻轉,同時大幅降低傳統高速開關所產生的電阻熱。這意味著未來晶片可在更低耗能下維持極高運算能力。

研究團隊指出,過去業界雖曾嘗試發展皮秒級切換技術,但多數方案會伴隨數百度高溫,造成元件壽命下降與穩定性不足,因此難以商業化。然而此次Mn3Sn方案不僅具備高速特性,也展現高耐久度。研究顯示,該元件在經歷超過千億次切換後,仍能維持穩定運作,顯示其在可靠性方面已大幅超越現有部分記憶體與邏輯元件技術。

除了高速與低功耗之外,該技術另一項關鍵特性是「非揮發性」。亦即資料即使在斷電情況下仍可保留,不需持續供電維持狀態。這對資料中心、邊緣AI裝置與智慧手機而言具有重大意義,因為非揮發性架構可大幅降低待機耗能,並提升裝置能源效率。若未來能進一步整合至AI加速器與記憶體系統,有機會推動新型低耗能AI基礎架構。

研究團隊亦同步展示另一項重要成果,即利用60皮秒光電流脈衝完成相同切換操作。該方法結合通訊波段雷射與光電轉換元件,實現光訊號直接驅動非揮發性記憶體寫入,被稱為「自旋電子光電轉換」(spintronic photoelectric conversion)。此成果意味未來光通訊與記憶體系統可能更深度整合,進一步提升資料傳輸與儲存效率,對未來光學運算與量子運算架構具有潛在影響。

不過,研究人員也提醒,即使單一切換元件速度提升千倍,並不代表整體電腦效能會同步增加千倍。實際運算系統仍涉及記憶體、資料傳輸、軟體架構與系統協同等多項因素,因此高速切換僅是提升整體運算能力的一部分。然而,當現有電晶體微縮逐漸逼近極限時,這類新型量子與自旋架構的重要性正快速提升。

從產業角度觀察,若此技術未來能成功量產,將可能對AI晶片、資料中心、智慧終端與量子運算產業帶來深遠影響。當前全球科技產業正面臨AI運算耗電急遽上升的壓力,包括電力基礎建設與散熱成本皆成為限制因素。東京大學此次研究顯示,未來運算架構未必只能依賴傳統電晶體微縮,而可能朝向自旋、光學與量子整合的新方向發展,也為新型運算架構時代的技術競爭揭開新序幕。(1219字;圖1)


參考資料:
University of Tokyo Team Develops Ultra-Fast Low-Power Switching Technology. Quantum Insider, 2026/5/19
RIKEN and University of Tokyo Hit 40ps Switching Speed With Non-volatile quantum switching devices. Quantum Zeitgeist, 2026/5/19
New Quantum Processing Technology Points to Life After the Transistor, Maybe. Gizmodo, 2026/5/18
Ultrafast switching device unlocks low-power optical-to-electrical conversion for AI hardware. Phys Org, 2026/5/18
Researchers built a switch 1,000 times faster than today's AI chips, and it barely generates any heat. Tech Spot, 2026/5/17


 

 
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