中國追趕美國半導體技術的野心，雖然無法短期達成，未來十年甚至二十年之後，很難說呢！

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科技產業資訊室 (iKnow) - 茋郁發表於 2026年8月4日

圖、中國追趕美國半導體技術的野心，雖然無法短期達成，未來十年甚至二十年之後，很難說呢！

三年前，美國限制了中國獲取尖端AI晶片及其製造所需工具的管道，在中國追求成為科技強國之際，形成了潛在的致命打擊。因此，在逼到絕境之際，中國政府開始了全力以赴地研發中國國產之半導體技術替代方案。也才促成華為下定決心，在三年內實現AI部分關鍵領域的自主研發。

在AI軟體領域，中國的DeepSeek和Moonshot AI所發佈AI模型，給美國帶來意想不到的挑戰。但是在硬體領域，即使華為近期取得了進展，中國仍然遠遠落後於美國，晶片產能問題也阻礙了中國企業以他們期望的速度部署AI。

雖然中國在電動車和電池領域超越西方，讓許多人相信中國最終能夠打破美國對晶片技術的壟斷。但晶片與其他硬體不同。半導體技術極為複雜，而且發展速度驚人。

不過，過去一年中國科技公司的思維正發生轉變。他們先前認為中國生產的晶片遠遠落後於美國晶片，根本不可能。而現在，他們認為可以與華為和其他中國生產晶片製造商開展業務。例如：科技公司美團最近發布了一款AI模型，稱其性能可與谷歌的旗艦模型相媲美，並且完全使用中國生產晶片進行訓練。

另外，在記憶體晶片領域，幾年前幾乎無人問津的中國公司如今也開始與領先的美國和韓國公司爭得一席之地。如今也正積極往HBM記憶體的研發前進。

即使如此，研究機構伯恩斯坦估計，到2025年，中國的AI運算能力約為美國的14%。儘管中國大力發展AI，伯恩斯坦預計，到2030年，中國仍將顯著落後於美國。

現今中國公司採取一種技術變通方案。華為於幾年前開始往替代設計、先進的封裝和網路技術發展，以榨取舊半導體設備的運算能力，被業內人士將這種做法稱為「雕花」。

由於美國的出口限制極紫外線（EUV），中國目前只能使用上一代深紫外線（DUV）蝕刻設備，其蝕刻精度遠不及3奈米製程。華為開發了一種利用DUV製程製造7奈米晶片的多步驟方法，但這會使電路佈局更加複雜，增加出錯的可能性，並降低生產效率。
《華爾街日報》審閱了華為及其合作夥伴在過去兩年中公佈的約200項專利。這些專利展示了他們如何透過生產變通方案和軟體來減少錯誤並提高舊設備的良率。

可是眼前的瓶頸在於產能。華為計劃今年生產約75萬顆新晶片，但這遠遠無法滿足市場需求。

另外，華為在2026年5月發布了最新的「精細化」方案。其沒有試圖縮小電晶體尺寸，而是提出了一種電路堆疊方法，將更多的運算能力整合到單一晶片中。華為表示，這種方法將使其能夠在2031年之前開發出性能超越目前所有在產半導體的晶片。伯恩斯坦研究認為，這只是防止差距迅速擴大的暫時性解決方案。

即使如此，專家表示美國的防堵政策只是在拖延中國在半導體上的進展，根據市場研究公司SemiAnalysis觀點，中國最終可能會找到趕上這項技術的方法，但這至少需要十年以上，甚至更久。因此，美國需要重新構思其戰略，否則最後一塊技術寶地，一旦被追上，將給全球帶來壓力啊！（1172字；圖1）

參考資料：
Inside China’s all-out push to catch up with American AI chips. Wall Street Journal, 2026/7/24

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