從華為申請專利，可以看出其正全力協助中國突破美國半導體技術的限制
科技產業資訊室(iKnow) - 友子 發表於 2025年12月8日
圖、從華為申請專利，可以看出其正全力協助中國突破美國半導體技術的限制
近年來，包含關鍵字「GPU」的專利申請數量在三星和華為均呈現顯著成長。華為的專利申請數量在2023年達到3,091件，約2018年的十倍。2023年當年華為關鍵字「GPU」專利申請數量是英特爾的三倍，是輝達的五倍。
從專利申請動向還可以發現，華為已著手開發2奈米製程以後的半導體。依照2奈米以後使用的電晶體技術「Gate-all-around（全環繞閘極）」這個關鍵字查詢，發現華為在2023年申請了20項相關專利，雖然數量不多，但持續在申請。可見華為可能正在推進研究面向2奈米以後的半導體設計和製造技術。
此外，華為還有包含「CFET（互補式場效電晶體）」和「Transistor（電晶體）」關鍵字的專利申請記錄。 CFET指的是預計在1奈米及更先進技術世代中應用的電晶體技術。透過垂直堆疊晶體管，提升整合度，而不僅依賴微細化。
不過，在達到這一技術之前，華為也正從不同角度解決現今採用深紫外線（DUV）光刻機能否應用在2奈米製程技術上進行了相關研究。
其實，華為於三年前就已經申請的一項無需極紫外線（EUV）光刻機即可實現媲美2奈米級製程的先進圖形化技術專利，加劇了人們對先進晶片領域潛在突破的猜測。
華為提交的一項專利申請，概述了一種僅使用深紫外線（DUV）光刻機即可生產2奈米級晶片的方案，這項進展或將重塑全球半導體產業的格局。
這項專利最初於2022年提交，但直到最近才被公開。專利描述了一種複雜的多重曝光技術，該技術有望使華為及其晶圓代工合作夥伴中芯國際實現超窄的21奈米金屬間距，這一關鍵尺寸使得最終節點能夠與台積電和三星正在研發的「2奈米級」製程相媲美。
華為方案的核心在於優化的自對齊四重曝光（SAQP）流程。據稱該流程可將所需的DUV曝光次數減少到僅四次，這相比傳統的多重曝光方案有了顯著改進。
透過將現有深紫外光刻基礎設施的性能發揮到極致，華為的目標是直接從其最新展示的麒麟9030（採用中芯國際的N+3節點製造）躍升至未來的2奈米晶片，而無需使用受限的極紫外光刻設備。
然而，業內人士仍持謹慎態度。即便實驗室驗證了技術可行性，這種高密度圖形化的DUV製程的商業可行性也備受質疑。尤其，在良率可能低於EUV，造成成本大幅度上漲的挑戰。
不過，從這裡可以看出華為和中國研究機構正在推進開發自主的EUV光刻設備，甚至以DUV設備來突破半導體製程的限制，這也將成為中國能否在半導體製程上更上層樓的關鍵。（1120字；圖1）
參考資料：
Three-year old Huawei patent might allow production of 2nm chips using older DUV lithography. Phone Arena, 2025/12/4
Huawei pushes toward 2 nm chips without EUV. GizmoChina, 2025/12/3
華為提交的GPU相關專利申請數量是先前的10倍，為2奈米半導體奠定了基礎. 日經XTECH, 2025/11/11
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