從SK海力士最新投資來看，美國製造HBM記憶體2030年代仍不會實現

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科技產業資訊室 (iKnow) - 友子發表於 2026年8月10日

圖、從SK海力士最新投資來看，美國製造HBM記憶體2030年代仍不會實現

SK海力士董事會於2026年8月7日投票決定，正式向韓國兩座新晶圓廠投入54.3兆韓元（約380億美元），此舉從法律上鞏固了韓國在AI記憶體製造領域的主導地位，並將這一優勢延續至2030年代。此舉也加深了美國AI基礎設施公司對韓國的結構性依賴，使其在短期內難以擺脫這種依賴。

由於HBM記憶體與DRAM在製造流程上，已經不再相同。其涵蓋了HBM晶圓、CoWoS封裝，以及材料。未來這三層面的供應於未來幾年都將呈現非美國製造的景象。

SK海力士在韓國生產HBM晶圓後，這些晶圓必須運往台灣，由台積電的CoWoS先進封裝製程將HBM堆疊晶片與AI處理器晶片封裝在矽中介層上。輝達目前約佔台積電CoWoS總產能的60%，而亞利桑那州的每座台積電晶圓廠仍需將晶圓運回台灣進行切割、測試和CoWoS整合。位於台積電附近的Amkor亞利桑那州封裝工廠計劃於2028年初投產，但尚不存在的部分未來解決方案之中。

第三層是最深且最不易察覺的：日本獨家供應的材料。 SK海力士專有的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）鍵合製程。正是這項製程使得該公司能夠以比競爭對手更高的高度堆疊HBM晶片，並具有更優異的散熱性能。這一MR-MUF是由日本新潟縣私營企業Namics公司獨家供應的底部填充樹脂。當初韓國想要尋找取代Namics底部填充樹脂，但SK海力士曾評估HBM4的鍵結製程變更，卻發現MR-MUF在滿足生產良率要求的前提下尚無法被取代。

實際結果就是，要製造HBM記憶體，需要滿足在韓國晶圓、台灣封裝、配合日本材料。任何一個環節出現問題，都會導致目前所有出貨的AI加速器停產。

雖然根據美國《晶片法案》（CHIPS Act）已為部分解決方案提供了資金。可是SK海力士獲得了4.58億美元的聯邦撥款和貸款，是用於在印第安納州West Lafayette建造一座先進的HBM封裝工廠。該廠預計在2028年底全面投產，但其主要功能是組裝和封裝HBM堆疊，而非製造構成這些堆疊的晶圓。這些晶圓仍將來自韓國。

至於美光公司斥資2,000億美元在美國本土進行大規模建設。該計劃包括將HBM封裝業務引入維吉尼亞州，但只有美光美國業務建立起足夠的DRAM晶圓規模之後才會實施。美光位於愛達荷州的首座晶圓廠將於 2027 年下半年投產。美國本土的 HBM 晶片生產則要在此之後數年才會啟動。

從此可以得知，《晶片法案》並未解決韓國 HBM 晶片壟斷的問題。在短期內，大多數晶片組件仍將在台灣、韓國和中國生產。想要在美國製造HBM晶片，至少在2030年代左右仍不會實現啊！（1068字；圖1）

參考資料：
SK Hynix board locks Korean AI memory through 2033; US has zero HBM wafer fabs. Tech Times, 2026/8/8

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