AI的確帶來改變，SK海力士首次登上DRAM第一寶座，2025年將推出HBM4和HBM4E拉開與三星差距
科技產業資訊室(iKnow) - 友子 發表於 2025年4月14日
圖、AI的確帶來改變，SK海力士首次登上DRAM第一寶座，2025年將推出HBM4和HBM4E拉開與三星差距
在半導體產業發生重大轉變的過程中，SK海力士已經超越三星電子，成為全球DRAM市場的領導者。這一發展標誌著一個關鍵時刻，也表示著AI潮流改變了技術和市場規則。
根據產業機構Counterpoint Research的數據，2025年第一季SK海力士的全球DRAM銷售額市場佔有率為36%，超過三星電子的34%和美光科技的25%，首次登上第一寶座，歸功於高頻寬記憶體（HBM）晶片的強勁銷售。
這一佳績是受AI運算需求旺盛的推動，SK海力士目前憑藉其業界領先的第五代 HBM3E產品引領HBM市場。
自1992年開發出世界上第一個64Mb DRAM以來，三星已保持領先地位超過三十年。不過，2024年第四季開始出現變化的跡象，三星DRAM的市場佔有率下降到39.3%，而SK海力士的市場佔有率則上升到36.6%，差距大幅縮小。
SK海力士崛起的關鍵因素是其對HBM技術的戰略重點。該公司目前在HBM領域佔有高達70%的市場佔有率，並向輝達等主要AI客戶提供其先進的HBM3E產品。
如今SK海力士將於2025年推出下一代HBM4和HBM4E記憶體，同時承諾大規模生產其新型12層HBM4。簡單來說，在2025年SK海力士不僅量產第六代HBM4 12層，而且還將及時供應第七代HBM4E，目的就是鞏固在HBM領域的領先地位。
SK海力士的另外一項策略是，在開發新型HBM的同時，透過滿足客戶特殊需求的客製化HBM業務，為各種客戶需求提供最佳解決方案。
至於12層HBM4，SK海力士提前完成了樣品出貨，並將啟動客戶認證流程。SK海力士計劃在2025年下半年完成12層HBM4產品量產的準備工作，鞏固其在下一代AI記憶體市場的地位。
AI技術的擴展正在重塑市場動態方面發揮了關鍵作用。隨著AI應用對HBM等更複雜的記憶體解決方案的需求，掌握這些先進技術的公司將受益匪淺。 Counterpoint Research認為，短期內，AI需求可能會保持強勁，配合HBM往HBM4和HBM4E的方向前進，SK海力士將於2025年第二季持續拉開與三星的差距。
唯一的影響因素是中國正在大力投資半導體產業。目前，雖然SK海力士、三星和美光在HBM市場佔據主導地位，但華為、長鑫儲存和通富微電子等中國公司也正在崛起，它們申請了與HBM相關的專利，有些甚至已經進入早期生產階段。在AI晶片產業蓬勃發展的背景下，中國不可能放棄，未來雖不會像DeekSeek帶給市場大震撼，但也不能小看其後勢啊！(1020字；圖1)
參考資料：
SK hynix confirms both HBM4 and HBM4E memory are coming this year for next-gen AI GPUs. TweakTown. 2025/04/07.
SK hynix rises to No. 1 in global DRAM market for 1st time in Q1. Yonhap News. 2025/04/09.
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