SK海力士準備量產全球首顆HBM4晶片，預計2026年在HBM市占率仍達50%

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科技產業資訊室- 茋郁發表於 2025年9月15日

圖、SK海力士準備量產全球首顆HBM4晶片，預計2026年在HBM市占率仍達50%

韓國記憶體晶片製造商SK海力士於9月12日宣布，已準備好量產其下一代高頻寬記憶體HBM4晶片，此舉使其領先競爭對手，並成為業界新的里程碑。

HBM憑藉其緊湊、高容量的體積和卓越的記憶體頻寬，成為AI訓練的首選記憶體。HBM4 是 HBM 標準的第四代重要版本，由於其採用2,048個輸入/輸出端子，使頻寬翻倍，而且其具備全新的電源管理和 RAS 功能。

最讓其吃驚的是，SK海力士在HBM4中實現了超過10Gbps的運行速度，遠遠超過了JEDEC標準運行速度8Gbps。

輝達預計於 2026 年下半年推出的下一代GPU平台Rubin中使用8顆SK海力士的12層HBM4晶片。由於SK海力士生產出更具優勢的HBM4，這使得三星電子和美光科技要追SK海力士的腳步，變得更不容易了。

例如：美光公司於2025年6月開始向客戶提供36 GB 12層HBM4堆疊樣品，且這些堆疊採用2048位元接口，頻寬約為目前 HBM3e 模組的兩倍，預計將於2026年某個時候開始量產。

同時，三星一直在努力使其HBM3e堆疊獲得輝達Blackwell加速器的驗證。至於HBM4則需要更多時間的突破。

近年來，隨著AI需求和資料處理的急劇增長，對高頻寬記憶體的需求也隨之激增，從而加快了系統速度。此外，隨著資料中心運作功耗的增加，確保記憶體的功耗效率已成為客戶的關鍵要求。SK海力士預計，頻寬和功耗均有所提升的 HBM4 將成為滿足客戶需求的最佳解決方案。

SK海力士表示，與上一代產品相比，HBM4的能源效率提升了40%以上，預計將AI服務效能提升高達69%，從而解決資料瓶頸問題，同時降低資料中心的能耗和成本。

在HBM4的量產方面，SK海力士採用了已被市場驗證可靠的先進MR-MUF堆疊方法和第五代1b、10奈米製程技術，從而最大限度地降低了生產風險。

MR-MUF製程在堆疊晶片之間注入液態保護材料，保護電路並使其硬化，從而提高散熱效率。該公司強調，這項技術對於確保HBM規模化生產的穩定性至關重要。如今即將建立全球首個HBM4量產系統，這讓SK海力士更能站穩在HBM龍頭的寶座。

業內分析師預測，SK海力士HBM4的售價可能比上一代產品高出60%至70%。隨著競爭對手三星電子和美國美光科技於2026年以後進入市場，價格才可能會逐漸下降。

Counterpoint Research表示，儘管競爭格局瞬息萬變，但其預計SK海力士仍將保持領先地位，到2026年有望佔據HBM市場約50%的佔有率。專家表示HBM4量產正為SK海力士於2026年帶來更大競爭力呢！ (1051字；圖1）

參考資料：
SK hynix develops world’s 1st HBM4, ready for mass production. The Korea Herald, 2025/9/12
SK Hynix continues monster $80 billion rally as it readies next-gen chips for Nvidia. CNBC, 2025/9/12
SK hynix Completes Development of Next-Gen HBM4 Memory, Now In Full Mass Production: 10 Gbps Speeds With 40% Higher Efficiency. Wccftech, 2025/9/12

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