Terra Quantum發表突破性NC-FET技術，可能徹底改變AI晶片技術與能源架構
科技產業資訊室(iKnow) - 黃松勳 發表於 2025年7月18日
圖、Terra Quantum發表突破性NC-FET技術，可能徹底改變AI晶片技術與能源架構
在當前AI技術迅猛發展之際，運算效能與能源消耗間的矛盾成為全球關注的焦點。歐洲量子科技公司Terra Quantum於近日宣布，其研發出全球首個可量產製程的負電容場效電晶體（NC-FET），將徹底改變AI晶片的能源架構。這項創新成果不僅突破傳統矽技術的極限，更讓AI運算的能效需求降低至原本的5%，對資料中心及國家能源政策產生革命性影響。
Terra Quantum創辦人暨執行長Markus Pflitsch強調：「NC-FET的誕生不只是公司成就，更是運算產業的歷史轉捩點。」該技術擁有高效率、低功耗、極速運算等特性，使原本停滯的效能曲線重新加速，並促使歐洲在AI領域中邁向技術主權的新高度。
NC-FET的技術核心為其突破60 mV/decade的物理極限，這在傳統矽材料中被視為難以逾越的屏障。實驗證明該電晶體管的切換斜率低於30 mV/decade，運算速度較目前晶片提升40倍，單次運算僅需0.5飛焦耳(fJ)能量，能效大幅提升近20倍，對AI訓練與推論效率帶來顯著助益。
不同於過去學術研究的概念驗證，Terra Quantum此次實現的NC-FET已在標準矽製程中製造完成，使用CMOS相容的鐵電材料，能直接導入現有晶圓代工流程。這項技術實現了高達五至十倍的邏輯吞吐率，並以業界普遍應用的沉積與模擬技術完成全程驗證，顯示其具備量產與應用潛力。
此突破亦讓歐洲在全球半導體競爭中取得重要戰略位置。隨著各國對資安與晶片自主的重視升高，Terra Quantum的技術提供可出口且主權友善的解決方案，符合歐盟在數位主權政策上的關鍵訴求。
在應用層面，NC-FET不僅適用於高階AI伺服器，也能支援行動裝置與穿戴設備。其低於毫瓦等級的功耗，使其成為行動邊緣運算與低溫運行應用的理想選擇，涵蓋醫療、軍事與工業物聯網等關鍵場景。
Terra Quantum產品長Dr. Florian Neukart指出：「NC-FET具備電壓增益與創紀錄的時脈速度，這不再只是優化，而是顛覆性的技術革命。」該元件已於室溫環境下完成極化切換測試，展現約32 μC/cm²的剩餘極化值，並保證多個晶片一致性與穩定性，符合大規模製造標準。
技術總監Dr. Valerii Vinokur補充，過去負電容僅停留在理論，如今則已落實於功能性矽晶元上。「這是一個量子材料工程成功轉譯為傳統電子元件的罕見里程碑。」
此計畫亦獲得歐盟區域發展基金（ERDF）資助，由布蘭登堡州投資銀行（ILB）負責執行。這代表歐洲對前瞻技術研發的堅定投入，並藉此推動地方創新與高階製造技術成長。
在商業化方面，Terra Quantum將透過電晶體IP授權、與領導晶片廠合作開發、以及針對AI與國防等戰略領域進行選擇性產品化。其已提供首批樣品與完整模擬結構，並開放業界取用設計IP，展現加速產業合作的誠意。
Terra Quantum的NC-FET技術不僅重新定義了半導體性能與能源效率，更為歐洲在全球AI競賽中奠定領先地位。(1022字；圖1)
參考資料：
Europe’s Chip Moment: Terra Quantum Revolutionizes AI World with New Super Transistor. Terra Quantum，2025/07/14
Europe’s Chip Moment: Terra Quantum Develops New Transistor Aimed at AI Market. The Quantum Insider，2025/07/14
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