美中晶片戰爭續章：兩強夾擊下的台灣供應鏈突圍
科技產業資訊室(iKnow) - 洪綺臨 發表於 2025年11月5日
圖、美中晶片戰爭續章：兩強夾擊下的台灣供應鏈突圍
南韓川習會後，儘管雙方達成臨時性的「停火」協議，恢復了部分市場通路，中方也暫緩了對稀土出口的限制，然而，在核心技術層面，美國並未讓步，特別是對高階半導體和AI晶片的管制仍極為嚴格，像是明確阻止中國獲得Nvidia Blackwell等領先技術，加上多間中國企業仍列在美國出口管制黑名單上，顯示了美中的結構性緊張依然存在。
美國的稀土策略與去中化進程
雖然中國暫時放緩了稀土限制，美國仍持謹慎態度。美國財政部長貝森特警告，由於中國過去常未履行承諾，若北京再次失信，美國可能重啟關稅威脅。而為解決稀土困境，美國正加速供應鏈自主化：
- 本土供應鏈重建： 美國政府與國防部正大力支持Mountain Pass礦場復產與擴建，推動從礦山開採到下游加工的垂直整合。國防部甚至直接投資4億美元，成為MP Materials公司的最大股東。
- 政策鬆綁與資助：放寬相關環保規範和審查流程，以縮短稀土設廠與投產時程。國防部與能源部亦提供研發補助、稅收減免及直接資金支持。
- 戰略儲備與多元化： 國防部啟動了10億美元的關鍵礦產儲備計畫，目標在2027年前建構可支撐軍工產業數月的自主供應能力。同時，主導「礦物安全合作夥伴計畫」（MSP），深化與澳洲、加拿大等盟友的合作，以降低對中國稀土的依賴。
- 回收利用： 資助「城市採礦」計畫，鼓勵從電子廢棄物中回收稀土，目標到2030年回收的稀土能滿足國內需求的20%。
美國技術封鎖下的中國半導體路徑
面對美國在高階晶片方面的嚴格封鎖，中國半導體產業正尋求「從追趕替代到路徑創新」的突圍。結構上，中國半導體仍面臨挑戰：高端光刻機如ASML的極紫外光刻（EUV）無法進口，深紫外光刻（DUV）出口也受限；高端電子設計自動化（EDA）工具在7nm以下製程仍被國際巨頭壟斷90%的市場。供應鏈上，材料與設備國產化率和車用晶片自給率皆低。然而，在中國政府政策（如「國家集成電路產業發展推進綱要」、國家大基金）與「十五五」規劃的強力支持下，中國正加速國產化進程：
- 產能擴張： 預計到2030年，中國將佔有全球晶圓代工產能的30%，成為全球最大的半導體代工中心。此增長主要集中在28nm等成熟製程規模化量產。
- 技術路徑創新：由於先進製程受阻，中國轉向Chiplet與先進封裝等「後摩爾」技術，以創新路徑提升晶片綜合性能。
- 專注戰略新興領域： 抓住第三代半導體（碳化矽、氮化鎵）的「換道超車」機遇，因該領域與全球技術差距相對較小，且中國在新能源汽車和光伏逆變器等下游市場具有天然優勢。
- 實現產業鏈環節自主可控： 產業鏈環節的替代正從設計走向生產、設備、材料和EDA，目標是實現體系化的半導體設備自主供給。
台灣的雙重衝擊與戰略因應
台灣作為全球半導體產業鏈的核心，在這場中美科技戰中，面臨著來自美國技術和中國稀土管制的雙重挑戰。
- 來自中國稀土管制的衝擊
儘管台灣半導體業並非稀土原料的直接使用者（多依賴歐美日貿易商），但中國的管制威脅體現在更隱蔽的上游。真正具顛覆性的是中國近期的「0.1%稀土條款」。該條款規定，任何產品若使用中國稀土技術、或含中國稀土價值佔總價0.1%以上，出口均須許可。這項「長臂管轄」將使台積電的上游供應商（如ASML、應用材料）陷入違規風險。一旦關鍵設備或材料（如拋光液、雷射組件）因含微量中國稀土而斷供，將直接動搖台灣的「矽盾」地位。
- 台灣的戰略參考方針
- 短期應對（供應鏈盤點）：經濟部已啟動「供應鏈韌性專案」，強制要求半導體及關鍵產業，立即徹查並申報對中國稀土（含間接）的依賴程度，繪製完整的供應鏈地圖。
- 中期戰略（國際合作與儲備）：積極尋求以「技術夥伴」身分加入MSP，確保替代料源。同時，研擬建立關鍵礦產國家隊與戰略儲備機制，大量提升稀土安全庫存。
- 長期戰略（技術自主）：發展城市採礦，擴大工研院在稀土回收技術的研發，並透過租稅優惠，鼓勵半導體廠將其精密化學製程能力，轉移至稀土精煉與回收，同時藉此協助美、澳盟友優化稀土精煉，將台灣定位為全球「安全供應鏈」的技術夥伴。
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